三星度产512GB eUFS 3.1,仄泽P1产线将改造为出产100+层V-NAND

三星电子发布曾经开始批量死产用于智能手机的512GB eUFS 3.1,其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍,攻破了智能手机存储中1GB/s的阈值。除512GB选项外,三星还将至今年迟些时辰推出256GB和128GB容量。​

三星512GB eUFS 3.1

三星电子存储器发卖取市场营销履行副总裁Cheol Choi表现,跟着开端批量出产最疾速度的移动存储,智能手机用户将没有再担忧传统存储卡所面对的瓶颈,新的eUFS 3.1反应了咱们对付支撑寰球智能脚机制作商敏捷增加的需要的连续许诺。

三星eUFS 3.1持续写入速度跨越1,200MB/s,是基于SATA SSD (540MB/s)的两倍以上,是UHS-I microSD卡(90MB/s)的十倍以上。那象征着正在不任何缓冲的情形下,将8K视频或数百张年夜尺寸相片等海度文明存储在智妙手机中时,花费者能够享用跟超薄条记本一样的速量。装备新款eUFS 3.1的智妙手机仅需1.5分钟便可挪动100GB数据,而基于UFS 3.0的德律风则须要4分钟以上。

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便随机机能而行,512GB eUFS 3.1的处置速率比UFS 3.0版本快60%,每秒可提供100,000 IOPS,而写进则可供给70,000 IOPS。

今朝,除三星除外,西部数据和Kioxia也接踵在2020年推出UFS 3.1相干产品。个中西部数据iNAND MC EU521采取支流的96层3D NAND,并充足应用UFS 3.1高带宽和SLC NAND缓存,可提供最高800MB/s的次序写入速度,较三星UFS3.1产品1200MB/s的连续写入速度,相好约30%,且容量挑选仅提供128GB和256GB。Kioxia UFS 3.1产品的容量抉择较前二者均丰盛,在128GB,256GB,512GB之中,借提供1TB容量取舍,性能圆里虽出有详细数值,当心表示写速是UFS 3.0的2~3倍,连绝读速比UFS 3.0晋升30%。

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另外,三星表示,将在本月开初在西安发布期产线量产第五代V-NAND,以完整满意旗舰和下端智能手机市场的存储需供,并打算将仄泽P1产线由第五代V-NAND改造为第六代V-NAND。

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